| 品牌 | 其他品牌 | 應用領域 | 醫療衛生,生物產業,地礦,道路/軌道/船舶,煙草 |
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巴魯夫BALLUFF磁敏傳感器BMF00AT
依據霍爾效應制成的器件。
霍爾效應：通電的載體在受到垂直于載體平面的外磁場作用時，則載流子受到洛倫茲力的作用， 并有向兩邊聚集的傾向,由于自由電子的聚集(一邊多一邊必然少)從而形成電勢差， 在經過特殊工藝制備的半導體材料這種效應更為顯著。從而形成了霍爾元件。早期的霍爾效應的材料Insb(銻化銦)。為增強對磁場的敏感度,在材料方面半導 體IIIV 元素族都有所應用。近年來，除Insb之外，有硅襯底的，也有砷化鎵的。霍爾器件由于其工作機理的原因都制成全橋路器件，其內阻大約都在 150Ω~500Ω之間。對線性傳感器工作電流大約在2~10mA左右，一般采用恒流供電法。
Balluff氣缸傳感器用于拉桿缸
用于拉桿缸的氣缸傳感器能夠集成到大量應用中。它們以傳統方式用支承角鋼固定在帶系桿和
復式導軌的氣缸上。這種固定方式適合具有任意活塞直徑的常見氣缸型號。
特征：以非接觸方式探測氣缸位置，系桿直徑至17 mm，開關性能可靠，無磨損，
耐臟，固定穩妥，安裝快速。
二、常見型號：
Balluff BMF00ML
Balluff BMF0026
Balluff BMF0027
Balluff BMF00LC
Balluff BMF00AT
Balluff BMF00CW
Balluff BMF00AR
Balluff BMF00C4
Balluff BMF00F5
Balluff BMF00J6
Balluff BMF00KM
Balluff BMF0034
Balluff BMF0039
Balluff BMF003U
Balluff BMF003Y
Balluff BMF0040
Balluff BMF0049
Balluff BMF004C
Balluff BMF005A
Balluff BMF005J
依據霍爾效應制成的器件。
霍爾效應：通電的載體在受到垂直于載體平面的外磁場作用時，則載流子受到洛倫茲力的作用， 并有向兩邊聚集的傾向,由于自由電子的聚集(一邊多一邊必然少)從而形成電勢差， 在經過特殊工藝制備的半導體材料這種效應更為顯著。從而形成了霍爾元件。早期的霍爾效應的材料Insb(銻化銦)。為增強對磁場的敏感度,在材料方面半導 體IIIV 元素族都有所應用。近年來，除Insb之外，有硅襯底的，也有砷化鎵的。霍爾器件由于其工作機理的原因都制成全橋路器件，其內阻大約都在 150Ω~500Ω之間。對線性傳感器工作電流大約在2~10mA左右，一般采用恒流供電法。
巴魯夫BALLUFF磁敏傳感器BMF00AT
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